发光二极管現有的AlGaN發光裝置，被認為是取代現有UV氣體激光和含有有毒物質的UV燈的UV光源。不過，由於裝置中的UV激光发光二极管，電壓至少要25伏特才能操作，加上電洞註入層效率不佳，導致发光二极管串聯電阻高，性能受限。這和AlGaN鋁層的P型半導體塗層以及缺少有效的散熱管道等有關。

  研究人員以漸變折射率分布限制結構層（GRINSCH）裝置，制作出。與原先的发光二极管AlGaN磊晶薄膜層相比，納米級发光二极管AlGaN表面積對體積比高，形成有效的應力松弛，能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包復的金屬基質，能在高電流操作過程，提供更好的散熱管道。

  納米級P型半導體发光二极管加入了鎂，活化能需求低，因此電阻也相對較小。研究人員希望未來能將納米級GRINSCH发光二极管應用在納米高效能UV 发光二极管裝置，像是激光、光感測器、調幅器以及積體光學相關裝置上。